Лучшие мировые технологии для нового дренажного материала от ТехноНИКОЛЬ

Ассортиментный ряд компании ТехноНИКОЛЬ пополнился профилированной мембраной PLANTER geo с геотекстилем под маркой Typar® SF. Дренажный материал с уникальными физико-механическими характеристиками стал результатом синергии передовых технологий отечественного производителя ТехноНИКОЛЬ и мирового лидера химической промышленности компании DuPont.
Разработка компании ТехноНИКОЛЬ профилированная мембрана PLANTER geo уже завоевала широкую популярность в строительных кругах. Материал производится в России самым современным методом экструзии и представляет собой отформатированное шипами высотой 8 мм полотно из полиэтилена высокой плотности с приклеенным к нему слоем термоскреплённого геотекстиля. Сочетание низкой материалоемкости и простоты монтажа с высокими прочностными характеристиками, стойкостью к химической агрессии, воздействию плесени, бактерий, корней растений и УФ–излучению делают PLANTER geo хорошим решением для организации дренажных систем. Входящий в его состав геотекстиль фильтрует воду, а выступы на мембране способствуют ее эффективному отведению, что позволяет широко использовать материал для организации пристенного дренажа и дренажа в эксплуатируемых кровлях.
Благодаря сотрудничеству с мировым лидером химической промышленности DuPont компания ТехноНИКОЛЬ смогла получить материал с улучшенными эксплуатационными характеристиками - PLANTER geo c геотекстилем под маркой Typar® SF. Нетканый геотекстиль Typar® SF не имеет аналогов на рынке отечественных строительных материалов. Обладая высокой пропускной способностью, Typar® SF не впитывает влагу, не засоряется и не заиливается. Превосходные свойства Typar® SF в качестве защитно-фильтрующего материала дренажа подтверждены авторитетным научным центром - «Институтом мелиорации».
Сочетание уникальных характеристик PLANTER geo и геотекстиля Typar® SF обеспечат качественную и надежную, а главное, долговечную эксплуатацию «зеленых» кровель, фундаментов, тоннелей и инженерных сооружений любой сложности.